LIXIN SEMICONDUCTOR · 枥芯半导体

GaN · GaAs · MMIC
射频功率半导体

专注于氮化镓、砷化镓功率器件与单片微波集成电路的设计与制造,频率覆盖 DC 至 26.5 GHz,为通信、雷达、电子对抗与测试测量提供高可靠射频功率解决方案。

DC–26.5GHz频率覆盖范围
1–150W输出功率覆盖
120+在产标准型号
8周起定制样品交付
150mm GaN-on-SiC WAFER
ABOUT US · 关于枥芯

专注第三代半导体
射频功率技术

枥芯半导体科技有限公司成立于 2023 年,总部位于苏州工业园区,是一家专注于 GaN / GaAs 射频功率器件与 MMIC 的高新技术企业,具备从外延材料、芯片设计、晶圆制造到封装测试的完整产业链能力。

产品广泛应用于 5G 通信基站、相控阵雷达、电子对抗、卫星通信与测试测量等领域,已为 200 余家客户提供稳定可靠的射频功率解决方案。

  • GaN-on-SiC / GaAs pHEMT 两大工艺平台,覆盖 DC–26.5 GHz
  • 芯片设计 — 流片 — 封测 全流程自主可控
  • 金属陶瓷气密封装产线,满足高可靠应用场景
  • 可靠性实验室,通过 ISO9001 质量管理体系认证
联系我们
TECHNOLOGY · 技术平台

三大技术平台

以材料与工艺平台为核心,为不同频段、不同功率等级的应用提供匹配的器件方案。

GaN 功率器件

GaN-on-SiC HEMT

高功率密度、高效率,面向基站、雷达与广播发射等高压大功率场景。

工作电压
28 – 50 V
功率等级
8 – 150 W
典型应用
基站 · 雷达

GaAs 器件

GaAs pHEMT

低噪声、高线性度,覆盖至 K 波段,面向收发链路与中功率放大应用。

工作电压
5 – 12 V
功率等级
1 – 15 W
典型应用
收发 · 驱动

MMIC 放大器

Monolithic Microwave IC

单片集成、宽带放大,幅相一致性优异,适合相控阵与仪器仪表平台。

频率范围
DC – 26.5 GHz
功率等级
1 – 10 W
典型应用
相控阵 · 仪器
PRODUCTS · 热门产品

重点推荐型号

从通信基站到相控阵雷达,这些型号正在为客户批量交付。

PACKAGES · 封装外形

自主封装能力

金属陶瓷气密封装、法兰功率封装与塑封表贴封装,点击外形查看详细规格。

CUSTOM DESIGN · 新品开发

标准产品无法满足您的指标?

告诉我们您的目标频率、功率、电压、增益与效率,我们的工程团队将与您合作,开发符合您需求的解决方案。

提交定制需求